AEC-Q100对IC的可靠性测试可细分为加速环境应力可靠性、加速寿命模拟可靠性、封装可靠性、晶圆制程可靠性、电学参数验证、缺陷筛查、包装完整性试验，且需要根据器件所能承受的温度等级选择测试条件。需要注意的是，第三方难以独立完成AEC-Q100的验证，需要晶圆供应商、封测厂配合完成，这更加考验对认证试验的整体把控能力。广电计量将根据客户的要求，依据标准对客户的IC进行评估，出具合理的认证方案，从而助力IC的可靠性认证。

　　如果成功完成根据本文件各要点需要的测试结果，那么将允许供应商声称他们的零件通过了AEC Q100认证。供应商可以与客户协商，可以在样品尺寸和条件的认证上比文件要求的要放宽些，但是只有完成要求实现的时候才能认为零件通过了AEC Q100认证。

　　芯片可靠性验证(RA)：

　　芯片级预处理(PC)&MSL试验、J-STD-020&JESD22-A113；

　　高温存储试验(HTSL),JESD22-A103；

　　温度循环试验(TC),JESD22-A104；

　　温湿度试验(TH/THB),JESD22-A101；

　　高加速应力试验(HTST/HAST),JESD22-A110；

　　高温老化寿命试验(HTOL),JESD22-A108；

　　芯片静电测试(ESD)：

　　人体放电模式测试(HBM),JS001；

　　元器件充放电模式测试(CDM),JS002；

　　闩锁测试(LU),JESD78；

　　芯片IC失效分析(FA)：

　　光学检查(VI/OM)；

　　扫描电镜检查(FIB/SEM)

　　微光分析定位(EMMI/InGaAs)；

　　OBIRCH；

　　Micro-probe;

　　聚焦离子束微观分析(FIB)

　　弹坑试验(cratering)

　　芯片开封(decap)

　　芯片去层(delayer)

　　晶格缺陷试验(化学法)

　　PN结染色/码染色试验

　　推拉力测试(WBP/WBS)

　　红墨水试验

　　PCBA切片分析(X-section)

　　芯片材料分析：

　　高分辨TEM(形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM、HAADF)；

　　SEM(形貌观察、截面观察、膜厚测量、EBSD)

　　Raman(Raman光谱)

　　AFM(微观表面形貌分析、台阶测量)

　　AEC-Q100试验后芯片失效分析项目：

　　形貌分析技术：体视显微镜、金相显微镜、X射线透视、声学扫描显微镜、扫描电镜、透射电镜、聚焦离子束。

　　成分检测技术：X射线能谱EDX、俄歇能谱AES、二次离子质谱SIMS、光谱、色谱、质谱

　　电分析技术：I-V曲线、半导体参数、LCR参数、集成电路参数、频谱分析、ESD参数、电子探针、机械探针、绝缘耐压、继电器特性。

　　开封制样技术：化学开封、机械开封、等离子刻蚀、反应离子刻蚀、化学腐蚀、切片。

　　缺陷定位技术：液晶热点、红外热像、电压衬度、光发射显微像、OBIRCH。

　　AECQ100认证测试周期：

　　3-4个月，提供全面的认证计划、测试、报告等服务。

　　测试地点：

　　广电计量广州总部、广电计量上海试验室。

　　广州广电计量检测股份有限公司（GRGT）失效分析实验室AEC-Q技术团队，执行过大量的AEC-Q测试案例，积累了丰富的认证试验经验，可为您提供更专业、更可靠的AEC-Q认证试验服务。

　　AECQ100技术交流及业务咨询：GRGT张工

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