描述：MGFS37G38L2，GAN HEMT与N-通道Schottkygate，是为S-band基站发射台设计的。
高电压操作：VDS=50V=
高输出功率（Type.）@PSAT，F=3.5GHZ，
Single Path=High
Efficiency：60%（）@PSAT，F=3.5GHZ，
Single Path=High Gain：18DB（）@F=3.5GHZ
适用于S波段基站的放大器推荐偏压条件

与硅产品相比，GaN和GaAs基FET是对静电放电（ESD）更敏感的产品。应用ESD可能导致产品故障。请小心处理产品，采取防静电措施，如腕带、接地台/地板、电离器等。
MGFS37G38L2规格书下载：   mgfs37g38l2_v05.pdf
如您有什么疑问，可以联系南京 天行电子有限公司销售人员。