描述：MGFS38G38L2，
GAN HEMT与N-channel schottkygate，是为S-band基站设计的。
高电压操作：VDS=50V=DED=THE THE OUTUCTION THE OUTUCTION
POWER：38DBM=TYPE=38DBM=38DBM=PSAT，F=3.5GHZ，
Single Path=HHE Efficiency=60%（（*）=PSAT，F=3.5GHZ，
SINGHE PSAT=PSAT，F=3.5GHZH=5GHZ=SING，SIN=50V=30MA

与硅产品相比，GaN和GaAs基FET是对静电放电（ESD）更敏感的产品。应用ESD可能导致产品故障。请小心处理产品，采取防静电措施，如腕带、接地台/地板、电离器等。
MGFS38G38L2规格书下载：   mgfs38g38l2_v04.pdf
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