MOSFET的工作原理
为了使N沟道MOSFET裸片工作，需要在G和S之间加 个正电压VGS，在D和S之间加 个正电压VDS，以产生正向工作电流ID。工作电流ID可以通过改变VGS的电压来控制。如果不 接VGS（即VGS=0），则在D、S电 之间加 个正电压VDS，漏 D和衬底部之间的pN结方向反了，所以漏源不能通电。如果在栅 G和源 S之间加 个电压VGS。此时栅 和衬底部可以看成器件的两块 板，以氧化 缘层作为电容的介质。添加VGS后，在 缘层与栅 的界面上感应出正电荷，而在 缘层与p型衬底部的界面上感应出负电荷。该层感应出的负电荷与p型底部中的多数载流子（空穴）的 性相反，故称为“反型层”。该反型层可以连接漏 和源 的两个N型区。连接形成导电通道。当VGS电压过低时，感应出的负电荷较少，会被p型衬底中的空穴中和，因此此时漏 和源 之间仍然没有电流ID。当VGS增加到 定值时，感应的负电荷连通两个分开的N区，形成N沟道。这个临界电压称为开启电压（或阈值电压，thresholdvoltage），用符号VT表示（ 般规定ID=10uA时的VGS为VT）。当VGS继续增.大时，负电荷增.大，导电沟道扩大缩小，ID也增.大，呈较好的线性关系，这条曲线称为传递特性。因此，在 定范围内，可以认为通过改变VGS来控制漏源 间的电阻，达到控制ID的效果。由于这种结构在VGS=0时ID=0，所以这种MOSFET裸片被称为增.强型。另 种MOSFET裸片在VGS=0时也有 定的ID（称为IDSS），这种MOSFET称为耗尽型。Vp为夹断电压（ID=0）。耗尽型和增.强型的主要区别在于SiO2 缘层中存在大量的正离子，从而在p型衬底部的界面处感应出更多的负电荷，即p型硅在两个N型区域的中间。内部形成N型硅薄层形成导电沟道，所以当VGS=0时，VDS作用时有 定的ID（IDSS）；当VGS有电压（可以是正电压或负电压）时，改变感应负电荷的数量，从而改变ID的大小。ID=0时Vp为-VGS，称为夹断电压。

新洁能提供击穿电压等 范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品，以 的导通电阻， 低的栅 电荷，出色的开关速度，以及 具竞争力的性价比，成为开关电源应用中的理想选择。同时，新洁能SJ-III系列产品提供业内lx的雪崩耐量（EAS）以及静电释放能力，提高了系统可靠性。此外，该系列产品采用新洁能自主创新技术，优化了产品开关特性，使其在系统应用时具有更好的EMI表现。广泛应用在家用电器驱动、计算机电源、UPS、电动汽车充电等领域。
N沟道500-800V系列SJ-III MOSFET产品封装范围包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247等。



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